基于忆阻器镜像堆叠的异或门逻辑器件及制备、使用方法

基于忆阻器镜像堆叠的异或门逻辑器件及制备、使用方法，所述异或门逻辑器件采用TiN、HfO₂、Pt、HfO₂、TiN五层结构，其中TiN顶层为顶电极，TiN底层为底电极，Pt层为Pt中间电极，三层电极之间有两层HfO₂阻变层，等效集成四个RRAM单元。异或门逻辑器件的使用方法包括：set阶段和test阶段，其中set阶段分为step1和step2两个子阶段通过优化电压脉冲序列和输出测量方式，实现异或（XOR）逻辑运算。本发明的器件及使用方法，通过单一器件集成方式，显著减少器件数量，简化电路互连与设计，降低面积开销和电路控制复杂性，其制造工艺与现有半导体技术兼容，同时保证其逻辑功能的可靠性和高效性，在集成密度和制造工艺复杂度方面为高性能器件和逻辑电路的发展提供了一种新方案。