一种硅衬底上具有N型As掺杂缓冲层的外延结构及其生成方法

本发明涉及一种硅衬底上具有N型As掺杂缓冲层的外延结构及其生成方法，包括硅衬底(1)、缓冲层(2)和外延层(3)，所述的硅衬底(1)上依次生长有缓冲层(2)和外延层(3)；所述的硅衬底(1)的电阻率在0.0009ohm﹒cm至0.05ohm﹒cm范围内，所述的硅衬底(1)的厚度在500至800μm的范围之间，硅衬底(1)掺杂As原子；所述的缓冲层(2)的电阻率在0.01ohm·cm至0.05ohm·cm范围内，所述的缓冲层(2)的厚度在0.5μm至0.8μm的范围内，缓冲层(2)为N型As掺杂缓冲层。本发明减少了晶格失配、热失配，提高了后续在缓冲层上生长的不同掺杂种类和浓度硅外延材料的晶体质量并减少外延片缺陷。