一种用于减少等离子体损伤的低功率刻蚀方法

本申请涉及半导体刻蚀技术领域，本申请提供一种用于减少等离子体损伤的低功率刻蚀方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀基板于等离子体处理装置的腔室内，所述待刻蚀基板表面至少包含待刻蚀层和掩模层；向所述腔室内通入工艺气体；施加脉冲化的源功率以在所述腔室内产生等离子体，所述脉冲化的源功率包括交替的开启时段和关闭时段；在所述开启时段，向所述基板施加偏置功率；建立刻蚀模型并采用遗传算法获得最佳刻蚀参数组合；利用所述等离子体对所述待刻蚀层进行刻蚀。本申请通过采用脉冲化源功率和遗传算法优化刻蚀参数，达到减少等离子体损伤并提高刻蚀均匀性的效果。