通过使用低温等离子体蚀刻工艺制造半导体装置的方法

提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括：在半导体结构上形成第一模制结构和第二模制结构，第二模制结构在水平方向上与第一模制结构间隔开，第一模制结构包括一个接一个地交替堆叠的第一绝缘膜和与第一绝缘膜不同的第二绝缘膜，并且第二模制结构包括第三绝缘膜，第三绝缘膜包括与第一绝缘膜中的每一个的材料相同的材料；在第一模制结构和第二模制结构上形成掩模图案；以及基于掩模图案使用第一蚀刻气体来蚀刻第一模制结构和第二模制结构，其中，第一蚀刻气体包括含氧的碳氟化合物。