一种原位自清洁的氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片

本申请涉及半导体制造技术领域，公开了一种原位自清洁的氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片，其中，所述方法包括：在氧化钨薄膜上形成有机聚合物软掩膜层；在ICP刻蚀设备中，采用三氟甲烷为主体的刻蚀气体，对具备所述有机聚合物软掩膜层的所述氧化钨薄膜进行刻蚀，以形成氧化钨刻蚀结构；在刻蚀过程中，所述三氟甲烷的流量范围为35 sccm至90 sccm，ICP源功率与偏置功率的比值范围为1.53:1至3.3:1，以实现原位自清洁；所述氧化钨刻蚀结构的侧壁倾斜角为85度至90度，所述氧化钨刻蚀结构的沟槽底部的碳元素原子百分比不超过1.02%。其有益效果是，同时实现精准形貌刻蚀与原位自清洁。