基板处理方法以及基板处理装置

在基板W上形成有凹部95。凹部95的宽度比凹部95的深度短。在侧面95s的上部的至少一部分以及侧面95s的下部的至少一部分露出表示单晶硅、多晶硅以及非晶硅中的至少一个的蚀刻对象物。通过将溶解了非活性气体的碱性的第一蚀刻液供给至基板W，对蚀刻对象物进行蚀刻。通过在第一蚀刻液被供给至基板W之前或者在第一蚀刻液被供给至基板W之后将溶解了溶解气体且溶氧浓度比第一蚀刻液高的碱性的第二蚀刻液供给至基板W，对蚀刻对象物进行蚀刻。