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기록
晶圆表面残胶的去除方法和晶圆
발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
张士良; 钟泳生; 冯尹; 张鹏; 马万里
IPC 분류
H10P 70/00 (2026.01)
本申请提供了一种晶圆表面残胶的去除方法和晶圆,去除方法包括:采用至少一种清洗工艺对待处理晶圆的正面残胶进行去除,得到第一晶圆,清洗工艺包括激光清洗工艺和超声波联合臭氧清洗工艺;采用包括超临界二氧化碳的溶剂去除第一晶圆的正面的残留物,残留物为正面残胶在第一晶圆上的残留物质。激光清洗和超声波联合臭氧清洗加速了残留物的分解和去除。再采用包括超临界二氧化碳的溶剂去除第一晶圆的正面的残留物,包括超临界二氧化碳的溶剂具有较高的干燥效率,还能够溶解清洗后残留的低分子量有机物碎片,确保晶圆表面完全干燥且无残留,进而解决了现有技术中晶圆表面上的胶膜难以有效去除的技术问题。