晶圆临时键合方法

本申请提供了一种晶圆临时键合方法，包括提供一载片晶圆，载片晶圆包括载片基底以及依次形成的缓冲氧化硅层、氮化钛剥离层以及第一键合氧化硅层；提供一器件晶圆，器件晶圆包括器件基底以及依次形成的氮化钛吸收层以及第二键合氧化硅层；通过第一键合氧化硅层与第二键合氧化硅层将载片晶圆与器件晶圆进行键合；利用解键合光束自氮化钛剥离层靠近第一键合氧化硅层的表面处进行解键合，通过将氮化钛吸收层布置于器件基底上以保护器件基底，如此，即使存在peeling缺陷，解键合及后续清洗工序也不会损伤器件基底。