一种半导体刻蚀终点的检测方法及多通道检测系统

本发明公开了一种半导体刻蚀终点的检测方法及多通道检测系统，检测方法，包括以下步骤，输出检测光线；将检测光线展开为连续光谱带；将连续光谱带成像至数字微镜器件的调制面，对应连续光谱带的每个窄带波长建立像素组；对连续光谱带进行空间采样，为每个像素组分配并写入唯一的射频调制频率f；以射频调制频率f对各像素组分别执行振动式开关调制，以将连续光谱带的波长信息转换为时域频率光信号；将时域频率光信号转换为时域电信号；对时域电信号进行频域分析，解调出与各调制频率对应的气体吸收光强；根据气体吸收光强的变化趋势，判断半导体刻蚀终点。本发明能够通过单个探测器能够实现多个光谱通道并行检测，以判断刻蚀终点。