改善关键尺寸负载效应的方法和半导体工艺设备

本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种改善关键尺寸负载效应的方法和半导体工艺设备。该改善关键尺寸负载效应的方法包括：提供衬底，衬底上形成有叠层结构，叠层结构包括第一掩膜层、第二掩膜层、第三掩膜层和图案化光刻胶层，图案化光刻胶层包括密集区域和稀疏区域；以图案化光刻胶层为掩膜，利用第一刻蚀工艺刻蚀第三掩膜层，其对第三掩膜层进行过刻蚀，以刻蚀部分第二掩膜层，工艺气体中的刻蚀气体包括碳氟类气体和碳氢氟类气体，碳氢氟类气体的流量大于碳氟类气体的流量；再依次对第二掩膜层、第一掩膜层进行刻蚀。本发明能避免由于密集区和稀疏区的聚合物差异带来的关键尺寸负载效应，实现刻蚀均匀性的提升，提升器件的性能。