SOI芯片结构的制备方法及SOI芯片结构

本发明提供了一种SOI芯片结构的制备方法及SOI芯片结构，该方法通过将已经制备好半导体器件的第一晶圆与第二晶圆键合，并将第一晶圆的衬底从背面减薄至目标顶硅层厚度，随后在减薄后的顶硅层表面生长氧化层，形成SOI结构，并在SOI结构中形成背部互连结构以连接半导体器件，从而形成SOI芯片结构。该方法使用常规半导体器件晶圆、生产工艺就能制作SOI芯片结构，同时由于顶硅层厚度灵活可控，因此无需额外的SOI晶圆就能同时满足PD‑SOI或FD‑SOI芯片的制作，也无需额外的工艺调整或者专用设备投入；另外由于半导体器件已经在前导工艺中完成，本发明的整体工艺流程对SOI器件的性能并无影响，因此在保证SOI芯片质量的基础上显著降低了SOI芯片制造的技术门槛与成本。