半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备

本申请涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备，包括：提供衬底，于衬底上形成叠层结构；于叠层结构内形成沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔排列的多个第一沟槽，第一沟槽暴露出部分衬底；第一方向与第二方向相交；于第一沟槽的内表面和叠层结构的表面形成隔离层；采用目标溶剂填充第一沟槽；采用退火工艺处理隔离层和目标溶剂，以形成初始牺牲层；刻蚀第一沟槽内的初始牺牲层和叠层结构，于叠层结构内形成多个沿背离衬底方向间隔设置的侧向沟槽；于部分侧向沟槽内形成支撑层，支撑层沿第二方向贯穿侧向沟槽，从而提高了半导体器件的膜层质量，提高了半导体器件的性能。