存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构

本发明公开了一种存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构，属于半导体技术领域，所述方法包括以下步骤：提供一硅衬底，在硅衬底上依次形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；在第一氮化硅层上形成第二氧化硅层和第二氮化硅层，并蚀刻第二氮化硅层、第二氧化硅层、第一氮化硅层和第一氧化硅层，形成与硅衬底表面接触的开口；同步蚀刻开口两侧的第二氮化硅层以及开口底部的硅衬底，在硅衬底中形成浅沟槽，同时移除第二氮化硅层以减小待填充的浅沟槽的深宽比；以及在浅沟槽内沉积硅氧化物，形成浅沟槽隔离结构。通过本发明公开的存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构，可提高形成的浅沟槽隔离结构的质量。