存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构

本发明公开了一种存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构，属于半导体技术领域，所述存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：提供一硅衬底，所述硅衬底上形成浅沟槽，所述浅沟槽之间的硅衬底表面形成有预设厚度的氮化硅层和氧化硅层依次堆叠的硬掩模层，所述浅沟槽表面及硬掩模层侧壁形成有第一氧化硅层；在所述浅沟槽内填充第一介质层；湿法所述硬掩模层中的所述氧化硅层并去除所述第一介质层；去除所述第一氧化硅层，在所述浅沟槽内填充第二氧化硅层至高于所述氮化硅表面；形成浅沟槽隔离结构。通过本发明公开的存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构，可提高形成的浅沟槽隔离结构的质量。