一种浅沟槽隔离结构的制作方法

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，属于半导体技术领域，且浅沟槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：提供一衬底，并在衬底上形成前置氧化层和氮化层；蚀刻氮化层、前置氧化层和部分衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽内沉积隔离介质层并平坦化，形成浅沟槽隔离结构；去除氮化层，浅沟槽隔离结构表面至前置氧化层表面之间的高度差形成初始台阶高度；依据初始台阶高度和预设台阶高度的高度关系，选择湿氧氧化工艺或原位水汽生长工艺氧化衬底，加厚前置氧化层；以及同步湿法蚀刻浅沟槽隔离结构和前置氧化层，将初始台阶高度调整至预设台阶高度。通过本发明公开的浅沟槽隔离结构的制作方法，可提高形成的半导体器件的性能。