深沟槽隔离结构及其制造方法

本发明提供一种深沟槽隔离结构及其制造方法。该方法在形成深沟槽及隔离氧化层后，在沟槽内分两步填充多晶硅：先填充第一多晶硅层；再于其表面形成一层薄的阻挡氧化层；最后填充第二多晶硅层以填满沟槽。本发明形成的结构中，该阻挡氧化层作为物理屏障，在后续高温工艺中有效阻断硅原子重排，从根本上抑制了靠近衬底的第一多晶硅层因体积收缩而形成有害空洞，保证了其连续性，从而提高了器件的击穿电压和可靠性。