深硅刻蚀方法

本申请涉及一种深硅刻蚀方法，通过在多层掩模体系中引入中间牺牲层，并经湿法刻蚀，使所述牺牲层通孔内凹于所述硬掩模层通孔和光刻胶层通孔，在所述光刻胶层上形成“悬臂”特征的结构。一方面，由所述光刻胶层及其通孔、牺牲层及其通孔和硬掩模层及其通孔构成了离子筛选结构，能够在利用Bosch深硅刻蚀工艺刻蚀硅通孔过程中的离子入射路径上对斜向粒子实施有效阻挡与耗散，仅使高方向性、近垂直入射的离子通过，从而构建具有空间角度限制功能的准直通道。另一方面，内凹的牺牲层通孔设计，能够吸收大部分因光刻胶层造成的反溅离子，从而优化因反溅粒子引发的侧壁粗糙、弯折或起伏等缺陷问题。