一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路

本发明公开了一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路，属于半导体技术领域，所述制作方法至少包括以下步骤：蚀刻多层层间介质层，在器件区形成垂直接触孔，在密封环区形成异形接触孔，且异形接触孔的径向尺寸随着深度增加而减小；蚀刻垂直接触孔外围的部分多层层间介质层，在接触孔远离底层金属层的一侧形成沟槽，接触孔靠近底层金属层的一侧形成通孔；同步蚀刻多层层间介质层顶部，使相邻的异形接触孔连通；以及在通孔、沟槽和异形接触孔内沉积导电材料层，通孔和沟槽中的导电材料层形成大马士革结构，异形接触孔内的导电材料层形成密封环。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，可简化制程并减少缺陷。