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기록

半导体芯片和包括该半导体芯片的半导体封装

발명유효
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

卢炯均; 金东敏; 金抒贤; 金雄基; 金桢斗; 裵健希; 崔德瑄; 崔源洪

IPC 분류

H10W 20/43 (2026.01)H10W 20/44 (2026.01)H10B 12/00 (2023.01)H10B 80/00 (2026.01)H10W 20/40 (2026.01)

公开了半导体芯片和包括该半导体芯片的半导体封装。该半导体芯片可以包括:半导体基板;贯穿硅通路,垂直穿透半导体基板;集成器件层,在半导体基板的第一表面上并包括集成器件;多布线层,在集成器件层上并包括多层布线;上金属层,在多布线层上并连接到布线;以及下金属层,在半导体基板的第二表面上。半导体基板可以包括在半导体基板的第二表面上的下凸块区域,下凸块区域包括在其上的凸块焊盘,下金属层可以在下凸块区域的周边。