金属互连结构、其制备方法以及半导体器件

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种金属互连结构、其制备方法以及半导体器件。所提供的金属互连结构，包括：依次层叠设置的衬底、阻挡层、堆叠层和上层金属层；贯穿所述阻挡层、所述堆叠层和上层金属层的开孔；以及，填充于开孔内的介质层；其中，堆叠层包括沿着远离衬底的方向依次叠层设置的刻蚀停止层和中间金属层，且上层金属层形成在刻蚀停止层上；刻蚀停止层的材质包括含Sc的金属氮化物和/或含Y的金属氮化物。本发明可以提高金属刻蚀与停止层之间的选择比，有利于在刻蚀工艺中直接将金属刻蚀完全，省略了后续再清除残胶步骤中取出金属残余的工序，有效缓解了当前金属刻蚀对停止层选择比不高的问题。