自对准双重图形化方法及半导体器件

本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种自对准双重图形化方法及半导体器件。所提供的自对准双重图形化方法，包括：提供衬底，于衬底上形成硬掩膜层和初始侧墙层，初始侧墙层包括不对称部分，不对称部分包括相对设置的、具有不对称性的第一侧面和第二侧面；形成介质层，介质层覆盖硬掩膜层和初始侧墙层；刻蚀部分介质层，暴露出不对称部分；去除不对称部分，使初始侧墙层的顶面和介质层的顶面齐平；刻蚀剩余部分介质层，形成侧墙层，侧墙层包括相对设置的、具有对称性的第一侧面和第二侧面；依次刻蚀硬掩膜层和衬底，以在衬底中形成所需图形。本发明可以缓解当前在自对准双重图形化方法中侧墙的左右形貌存在不对称性的问题。