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기록

一种集成FlipChip和FOWLP工艺的高效散热SiP封装结构和封装方法

발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

邹淦; 闫相宏; 王伟安; 张正璠; 徐益; 宁芳

IPC 분류

H10W 40/22 (2026.01)H10W 40/25 (2026.01)H10W 40/43 (2026.01)H10W 44/00 (2026.01)H10W 74/15 (2026.01)H10W 74/01 (2026.01)H10W 76/01 (2026.01)H10W 76/12 (2026.01)H10W 76/63 (2026.01)H10W 70/62 (2026.01)H10W 72/00 (2026.01)H10W 72/20 (2026.01)H10W 95/00 (2026.01)H10B 80/00 (2026.01)H10P 58/00 (2026.01)

本申请涉及一种集成FlipChip和FOWLP工艺的高效散热SiP封装结构和封装方法,封装结构包括封装基板、通过底部填充胶固定在封装基板的第一表面上的芯片、设在芯片的第一表面上的高温铟合金片、与高温铟合金片抵接的翅片散热盖板、设在封装基板的第一表面上的阻容和设在封装基板的第二表面上的锡球。本申请公开的集成FlipChip和FOWLP工艺的高效散热SiP封装结构和封装方法,能够在小空间范围内对多种工艺制作的芯片进行混合封装,同时使用自然对流方式来实现对高功率密度区域的快速散热。