一种非等径硅微孔转接板的制备方法

本发明公开了一种非等径硅微孔转接板的制备方法，属于半导体封装技术领域。包括如下步骤：减薄硅片，在硅片背面制备二氧化硅层；在硅片正面涂覆光刻胶，利用光刻工艺得到图案化图形，图案化图形为不同直径的圆，通过刻蚀工艺，将涂覆光刻胶的硅片进行刻蚀，得到不同直径的硅微孔，在微孔中制备介质层、阻挡层、种子层及内部填充金属，得到不同直径的硅微孔金属柱，在硅片正面制备绝缘层和金属层，正面保护后，背面减薄至所有微孔金属柱漏出，得到不同直径相同深度的硅微孔，在硅片背面制备绝缘层和金属层。转接板可集成多种异质异构芯片，利用硅微孔转接板中不同直径的金属柱，进而通过高密度集成封装实现高性能器件制备。