검색으로 돌아가기
기록
具有三维集成结构的光电转换芯片及其制作方法
발명유효
1조회수
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
王陆尧; 刘建国; 赵泽平; 胡子健
IPC 분류
H10W 70/60 (2026.01)H10F 39/90 (2026.01)H10K 39/00 (2026.01)
本公开提供了一种具有三维集成结构的光电转换芯片及其制备方法,该光电转换芯片包括:光芯片层、再布线层、硅通孔转接层和电芯片层;光芯片层包括光电探测器芯片和电光调制器芯片;电芯片层包括衰减器芯片和放大器芯片;再布线层和硅通孔转接层将光电探测器芯片、电光调制器芯片、衰减器芯片和放大器芯片进行组合连接,形成光电转换通道和电光转换通道;光电转换通道依次包括光电探测器芯片和放大器,用于接收光信号,将光信号转换为第一射频信号后放大输出;电光转换通道依次包括衰减器芯片、放大器芯片和电光调制器芯片,用于接收第二射频信号,依次对第二射频信号进行衰减和增益处理后,将第二射频信号调制到光载波信号上,形成光调制信号。