半导体结构及其形成方法

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层中形成有第一金属层；依次位于所述层间介质层表面的第一阻挡层和第一介质层；依次位于所述第一介质层表面的第二阻挡层和第二介质层，所述第二介质层中形成有第三金属层；第二电极，贯穿所述第三金属层、第二介质层、第二阻挡层、第一介质层和第一阻挡层电连接所述第一金属层；介电层，位于所述第二电极高于所述第一阻挡层顶面的侧壁；第一电极，位于所述介电层侧壁，所述第二电极、介电层和第一电极构成电容器单元。本申请可以提高电容结构的垂直方向空间利用率。