一种基于层叠结构的低漏感并联驱动SiC功率模块及其集成电路

本发明涉及功率半导体技术领域，公开了一种基于层叠结构的低漏感并联驱动SiC功率模块及其集成电路，本发明的SiC功率模块为六层PCB板叠层结构，包括自上而下依次设置的SiC功率器件布局层、低阻抗参考地平面层、漏极走线层、源极走线层、驱动供电层以及驱动芯片布局层；漏极层与源极层走线平行且电流反向；SiC功率器件布局层中SiC功率模块以PCB中心点180°镜像对称排布，栅极朝内且等距，栅极走线从PCB中心点辐射状等长延伸；驱动芯片布局层中的驱动芯片输出端在PCB中心点，通过过孔与栅极走线中心点导通。本发明基于磁场互消原理应用及对称布局优化，系统性解决了多SiC功率器件并联时的寄生电感失配、动态电流不均衡及高频干扰等技术难题。