一种功率模块封装结构及其封装工艺

本发明提供了一种功率模块封装结构及其封装工艺，包括上基体；与所述上基本相对设置的散热底板；设置于所述上基体以及所述散热底板之间的AMB基板；以及设置于所述AMB基板上的功率芯片，所述功率芯片的源极通过铜夹片与外部端子电连接，且所述铜夹片与所述功率芯片的源极之间通过无压银烧结层实现互联。本发明通过采用铜夹片替代传统键合线，并结合无压银烧结互联工艺，协同优化模块布局，显著降低了功率模块的导通电阻与寄生电感，同时大幅提升了其散热能力与抗热机械疲劳可靠性，从而成功解决了现有SiC MOSFET功率模块在高频、大电流应用场景下的性能与可靠性瓶颈。