半导体结构的制造方法和半导体结构

本申请实施例公开了一种半导体结构的制造方法和半导体结构，该方法包括在铝垫基座中的沟槽表面依次沉积扩散阻挡层、铝层和抗反射层，铝层在沟槽中形成凸起结构；通过溅射工艺将位于沟槽底部的抗反射层材料迁移至沟槽侧壁，以在沟槽底部露出铝层；在沟槽底部的暴露的铝层表面沉积金属钛以形成钛铝化合物；采用氢氟酸湿法刻蚀工艺去除钛铝化合物，以平整化凸起结构；在沟槽底部的铝层表面重新沉积抗反射层材料。本申请实施例通过平整化铝垫基座的沟槽中尖锐的类似"倒牛角"的凸起结构，提高了制造的铝垫表面平整度和可靠性，从而提升了芯片封装良率并降低了晶圆损伤风险。