一种半导体器件及其制备方法

本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括提供半导体衬底，半导体衬底包括器件层以及位于器件层上的多层金属层；在半导体衬底的顶层金属层上沉积第一钝化层，第一钝化层全覆盖顶层金属层，第一钝化层的厚度大于顶层金属层的厚度；对第一钝化层和顶层金属层进行热处理，形成欧姆接触；在第一钝化层上沉积第二钝化层。加厚第一钝化层的厚度使得高等离子体二氧化硅层和正硅酸乙酯层的总厚度大于顶层金属层的厚度，降低或消除钝化层产生裂纹的风险；在第一钝化层和第二钝化层之间采用热制程，可提前释放界面应力和其他挥发性产物，这可有效避免裂纹的产生。第一钝化层将顶层金属层完全覆盖，也有利于改善裂纹。