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案件記録
被膜结构体的制造方法及被膜结构体
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§ Ⅰ
案件概要
発明者
原周平; 近藤晃弘; 荷方惣一朗; 坪田辉一; 上岛泰嗣
IPC分類
C23C 26/00 (2006.01)B32B 9/00 (2006.01)B32B 9/04 (2006.01)C01B 32/914 (2006.01)C04B 41/87 (2006.01)
本发明的被膜结构体的制造方法是在基材上具有金属复合体被膜的被膜结构体的制造方法,具有下述工序:在基材上涂布或浸渍金属化合物含有物的工序;和反应工序:通过在减压下或真空下、以供给碳源和/或氮源的状态对所述基材进行加热,由此进行碳化反应、碳氮化反应或氮化反应中的至少1种反应而形成金属复合体被膜。本发明的被膜结构体的金属‑碳复合体被膜在拉曼光谱法中的D band/G band峰面积比为0.5以上且2.0以下。
外部リソース