存储器件

本公开提供了一种存储器件，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高存储器件的存储密度。该存储器件，包括：第一堆叠结构、第二堆叠结构、第一连接结构和位线。第一堆叠结构包括沿第一方向交替层叠设置的多个第一栅极层和多个第一介质层。第二堆叠结构包括沿第一方向交替层叠设置的多个第二栅极层和多个第二介质层。第一连接结构位于第一堆叠结构和第二堆叠结构沿第二方向的一侧，第一连接结构与至少一个第一栅极层连接，且第一连接结构与至少一个第二栅极层连接。位线位于第一堆叠结构和第二堆叠结构之间，位线的延伸方向与第一方向相交。通过上述设置，一个第一栅极层和一个第二栅极层共用一个第一连接结构，有利于提高存储器件的存储密度。