三维存储器装置及其制造方法

公开了三维(3D)存储器装置及其制造方法。在某些方面，所公开的3D存储器装置可以包括多个存储器区域，每个存储器区域包括存储器堆叠体和垂直延伸穿过所述存储器堆叠体的多个沟道结构；间隔物区域，所述间隔物区域在所述多个存储器区域之间，包括位于相邻存储器堆叠体之间的电介质堆叠体；以及图案化导电层，所述图案化导电层在所述存储器堆叠体和所述电介质堆叠体上。图案化导电层包括：互连结构，所述互连结构在所述存储器区域中并与所述多个沟道结构耦合，以及虚设互连结构，所述虚设互连结构在所述间隔物区域中的所述电介质堆叠体上并且以交错方式布置。