具有正交电压阻断结构的半导体器件及制造半导体器件的方法

一种半导体器件（10）包括：衬底（12）；在该衬底上方的具有第一导电类型的第一半导体区（14A）；以及在该第一半导体区上方的具有该第一导电类型的第二半导体区（14B）。沟槽栅极结构（280）位于该第二半导体区中。具有第二导电类型的第一掺杂区（22）位于该第一半导体区中，其中该第一掺杂区和该第一半导体区提供第一电荷平衡区（142）。具有该第二导电类型的第二掺杂区（23）位于该第二半导体区中并且插置在该沟槽栅极结构与该第一掺杂区之间。该第二掺杂区和该第二半导体区提供第二电荷平衡区（143）。第二掺杂区与沟槽栅极结构自对准。