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기록
利用氮化硅的薄氧化物层的生长与转化
발명유효
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
弗雷德里克·费什伯恩; 张浩; 陈智君; 约翰内斯·斯温伯格; 克里斯托弗·S·奥尔森; 骆恒超; 克里斯托弗·米凯尔·科斯克拉; 郑会晟; 姜昌锡; 拉古维尔·萨蒂亚·马卡拉
IPC 분류
H10P 14/692 (2026.01)
一种用于形成氧化物层的方法包括在形成于基板上的沟槽的侧壁上形成保护性层间氧化物，通过利用含氮工艺气体的等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在所述保护性层间氧化物上形成氮化硅层，所述氮化硅层具有从远离所述保护性层间氧化物的高浓度到靠近所述保护性层间氧化物的低浓度变化的氮的浓度梯度，及进行转化工艺以氧化所形成的氮化硅层以至少部分地将所形成的氮化硅层转化为氧化硅层。