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案件記録

基板处理方法、基板处理装置及硬掩模

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§ Ⅰ

案件概要

発明者

清野拓哉; 北田亨; 石桥翔太; 熊仓翔

IPC分類

H10P 50/24 (2026.01)C23C 14/06 (2006.01)

提供可得到稳定蚀刻形状的基板处理方法、基板处理装置和硬掩模。一种基板处理方法,包括:准备具有含硅膜的基板的工序,以及通过溅射,在所述含硅膜上形成含钨、硅和氮的非晶膜即硬掩模的工序。

外部リソース