蚀刻液及使用其的半导体器件的制造方法

本发明涉及能够在控制蚀刻量的同时在含铜金属层的表面形成良好的蚀刻面的蚀刻液及使用其的半导体器件的制造方法。本发明的蚀刻液是用于对含铜金属层的表面实施蚀刻的蚀刻液，其特征在于，以前述蚀刻液的总量基准计，包含：超过0.1质量%且等于或小于0.5质量%的(A)过氧化氢、0.01～20质量%的(B)最小的酸解离常数pKa为2.0以上的有机酸、0.010～0.3质量%的(C)含氮杂单环式化合物、以及(D)水，所述蚀刻液中，无机酸的含量小于0.1质量%。