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기록
半导体加工用带和半导体加工用带的制造方法
발명유효
6조회수
4청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
土屋贵德; 石黑邦彦
IPC 분류
H10P 54/92 (2026.01)C09J 7/30 (2018.01)C09J 7/38 (2018.01)C09J 163/00 (2006.01)
一种半导体加工用带及其制造方法,该半导体加工用带由层积体构成,该层积体具有:由基材和与该基材相接的粘合剂层的层积体构成的切晶膜;与该粘合剂层相接的粘接剂层;和与该粘接剂层相接的剥离膜,其中,上述粘接剂层是厚度为30μm以下的未经预切割加工而形成的圆形形状的涂布层,上述切晶膜的面积大于上述粘接剂层的面积,上述粘接剂层的上述切晶膜侧的整个面与上述切晶膜相接,并且,上述剥离膜的面积大于上述粘接剂层的面积,上述粘接剂层的剥离膜侧的整个面与上述剥离膜相接,上述剥离膜不具有伴随上述粘接剂层的预切割加工的沿着上述粘接剂层的周围的切口。