用于形成有全并行互连的面板级封装的结构和方法

本发明涉及一种封装件或预封装件(100a、100b)，包括：半导体晶粒(140)和封装所述半导体晶粒(140)的两个接触键合片(200、300)。所述两个接触键合片(200、300)彼此键合。每个接触键合片包括芯层(210、310)和键合层(220、320)。所述芯层包括芯绝缘层(110a、130a)和穿过所述芯绝缘层(110a、130a)的一个或多个金属直通连接(110b、110c、130b)。所述键合层包括在所述芯绝缘层(110a、130a)上形成的绝缘键合层(120a、120b)和在所述一个或多个金属直通连接(110b、110c、130b)上形成的金属键合层(120g、120c、120d)。所述金属键合层设计成电连接和热连接所述半导体晶粒。所述绝缘键合层彼此键合以形成封装所述半导体晶粒的均质绝缘层。