一种减少晶向抛光片雾的工艺

本发明涉及半导体硅片抛光技术领域，具体为一种减少晶向抛光片雾的工艺，包括将晶向硅片贴付于陶瓷载具后装入抛光设备，依次进行粗抛、采用使用时长不大于10h的PUP抛光布精抛及清洗。本发明通过贴付固定、粗抛、精抛、清洗及检测反馈的协同控制，将精抛阶段PUP材质抛光布的累计使用时长限定在10h以内，并结合布时记录、布面状态判定、精抛前活化处理及后续检测反馈机制，能够有效避免抛光布因纤维塌陷、微孔堵塞、布面硬化而造成的局部磨削不均和残留物吸附，从源头降低片雾缺陷的产生概率，实现了对片雾缺陷的过程预防和主动控制，可提高硅片表面平坦度、洁净度及抛光一致性，并提升后续光刻、刻蚀及器件制造工序的稳定性和产品良率。