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Dossier
一种以高纯含硅化合物制备高致密二氧化硅的方法
InventionUnknown
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10Claims · 1 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
余学功; 王洪波; 王坤; 杨德仁
Filing Date
Apr 7, 2025
Publication Date
Oct 16, 2026
IPC Classification
C04B 35/14 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)
本发明提供一种以含硅化合物制备二氧化硅的方法,通过对水解反应参数和烧结参数的优化,提高了产物二氧化硅的体积密度,可以制备出高致密的二氧化硅,其中制备出的致密性最好的二氧化硅的体积密度可以达到1.591g/cm;本发明制备方法的原料仅使用含硅化合物和超纯水,不引入其他杂质,可以制备出适用于半导体制备领域的高纯石英砂,并且生产工艺简单、设备简易,易于SiO的工业化生产。
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