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Dossier
接合体的制造方法及使用了其的陶瓷电路基板的制造方法
InventionUnknown
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15Claims · 2 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
加藤宽正; 星野政则; 平林英明; 末永诚一; 森本一光
Filing Date
May 17, 2022
Publication Date
Oct 16, 2026
IPC Classification
C04B 37/02 (2006.01)H10W 70/68 (2026.01)B23K 1/19 (2006.01)B23K 1/008 (2006.01)B23K 1/00 (2006.01)H05K 3/38 (2006.01)B23K 101/42 (2006.01)
实施方式的接合体的制造方法的特征在于，其是使用连续炉将包含金属构件、陶瓷构件和设置于它们之间的钎料层的层叠体一边搬送一边处理的接合体的制造方法，具备以下工序：在不活泼气氛中以从200℃至接合温度为止的上述层叠体的平均升温速度15℃/分钟以上对上述层叠体进行加热的工序；在不活泼气氛中以600℃以上且950℃以下的范围内的上述接合温度将上述层叠体接合的工序；和以上述层叠体的平均降温速度15℃/分钟以上将上述层叠体从上述接合温度冷却至200℃为止的工序。此外，陶瓷基板优选为氮化硅基板。
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