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吡嗪-噻吩稠环类空穴传输材料及其制备方法与在钙钛矿太阳能电池中的应用

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§ Ⅰ

개요

발명자

孙魄; 任志军; 邓毅东

출원일

Sep 10, 2025

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

C07D 409/14 (2006.01)H10K 30/86 (2023.01)H10K 30/50 (2023.01)H10K 30/40 (2023.01)H10K 85/60 (2023.01)

本发明提供了一种吡嗪‑噻吩稠环类空穴传输材料及其制备方法与在钙钛矿太阳能电池中的应用,属于钙钛矿太阳能电池技术领域,公开了一种吡嗪‑噻吩稠环类空穴传输材料及其制备方法与应用。该材料以吡嗪‑噻吩为核心,通过N…S非共价键形成平面刚性π‑共轭结构,采用D‑A‑D设计,端基引入芳胺结构调控能级。其制备通过偶联、溴化及再次偶联反应完成,步骤简单、产率高。该材料无需掺杂即可实现高效空穴传输,与钙钛矿层能级匹配且具有钝化作用,能提升电池光电转换效率和稳定性。将其作为空穴传输层应用于n‑i‑p结构钙钛矿太阳能电池,具有良好产业化前景。