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기록
高品质间隙填充物的高偏压沉积
발명알 수 없음
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§ Ⅰ
개요
발명자
S·E·戈特海姆; E·文卡塔苏布磊曼聂; P·曼纳; A·B·玛里克
출원일
Jun 19, 2019
공개일
Oct 16, 2026
IPC 분류
C23C 16/04 (2006.01)C23C 16/505 (2006.01)C23C 16/26 (2006.01)H10W 10/00 (2026.01)H10W 10/17 (2026.01)
本公开文本的实施例总体上涉及集成电路的制造。更特定而言，本文所述的实施提供用于沉积高品质间隙填充物的技术。一些实施例利用化学气相沉积、等离子体气相沉积、物理气相沉积及其组合来沉积所述间隙填充物。所述间隙填充物为高品质的且在性质方面类似于类似组成的块体材料。