一种用于集成电路引线框架的镀镍上银工艺

本申请公开了一种用于集成电路引线框架的镀镍上银工艺，依次包括除油脱脂、活化、预镀碱铜、镀酸铜、镀镍、镀银和后处理步骤。其中，预镀碱铜填平基底凹坑，镀酸铜将铜层表面粗糙度控制在Ra≤0.1μm；镀镍步骤在铜层表面电镀双层梯度结构的镍阻挡层，包括致密底层镍和低应力面层镍；镀银步骤先整面预镀薄银，再在功能区选择性加厚镀银，随后退去非功能区薄银使其露出镍阻挡层。该工艺通过底铜整平与双层梯度镍的协同设计，使镍阻挡层在较薄厚度下实现无针孔覆盖，有效阻断铜银互扩散；非功能区露出耐蚀镍层，消除了铜层氧化导致的积铜与剥落问题；同时银层可减薄，降低了贵金属消耗。