一种基于界面重组生长的单晶六方氮化硼薄膜及其制备方法

一种基于界面重组生长的单晶六方氮化硼薄膜及其制备方法，具体包括：将多晶Ni‑Cr合金箔高温退火形成具有平行台阶结构的单晶Ni‑Cr合金箔；将BN粉末热压致密化后与合金箔下表面紧密贴合；将贴合结构置于含氮保护气氛中，在1100~1500℃下高温保温，使界面处BN局部溶解并结构重组，在单晶台阶诱导下择优形核并横向外延生长，获得单晶六方氮化硼薄膜；本发明通过固‑固界面重组与单晶衬底取向诱导的协同作用，解决了传统CVD法气相前驱体随机形核导致的多晶晶界、堆垛无序缺陷问题，成功制备出高质量、单一取向的单晶hBN薄膜；该方法利用我国的金属箔与粉末加工工艺，制备过程可控，适于规模化生产，为高性能二维电子器件、深紫外光电器件及量子芯片提供了关键基础材料。