III族氮化物半导体的制造方法

本发明提供一种能够得到结晶品质优异的高电阻的III族氮化物半导体的III族氮化物半导体的制造方法。该III族氮化物半导体的制造方法中，将使III族金属熔化在助熔剂中而得的熔液保持在坩埚（103）中，并向熔液中供给含氮气体来培育III族氮化物半导体。而且，在III族氮化物半导体的制造方法中使用的坩埚（103）以氧化铝为主成分，并且含有P型掺杂剂。