一种检测晶锭轴向质量阶跃的扫描方法、设备及介质

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种检测晶锭轴向质量阶跃的扫描方法、设备及介质，包括：获取待检测的晶锭；采用激光脉冲源产生激光脉冲，利用聚焦光学系统将激光脉冲聚焦后，沿晶锭轴向进行扫描，以在晶锭内部的激光聚焦点处激发载流子；在扫描过程中，采用一对以非接触方式设置于晶锭表面的电极，探测激光聚焦点处因载流子激发而产生的瞬态光电导信号；获取瞬态光电导信号沿晶锭轴向的分布数据；从分布数据中，提取晶锭轴向上各测量位置处瞬态光电导信号的峰值和衰减时间常数，并生成峰值和衰减时间常数沿晶锭轴向的变化曲线；根据变化曲线，确定晶锭轴向上载流子寿命和/或陷阱密度发生突变的界面位置。