一种实现等离子体光刻多层结构的方法

本发明涉及一种实现等离子体光刻多层结构的方法和系统，属于等离子体光刻技术领域，逐层执行以下过程得到多层结构：获取要制备的图形类型，图形类型为规则周期图形或一般二维图形；当采用固定输出波长，选用第一金属材质进行等离子体干涉光刻制备规则周期图形，选用第二金属材质进行等离子体成像光刻制备一般二维图形；当采用同一金属材质，采用第一输出波长进行等离子体干涉光刻制备规则周期图形，采用第二输出波长进行等离子体成像光刻制备一般二维图形；在晶圆表面制备掩膜层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光和显影后获得对应图形；将对应图形转移至晶圆表面。解决了现有技术无法利用等离子体光刻实现多层结构集成电路的制备的问题。