一种面向多层微带结构的S参数快速提取方法

本发明公开了一种面向多层微带结构的S参数快速提取方法，特点是设置多层微带结构的金属导带和各介质层参数；在金属导带表面和最内层介质表面建立电场和磁场积分方程，将内层介质材料逐层替换为外层介质材料，并在保持内部电场不变的约束下得到第一和第二导纳矩阵，引入等效对比电流还原原磁场，进而形成微分导纳矩阵；由内向外逐层等效处理直至最外层介质，将多层微带结构归并为表面仅含单一等效源的均匀介质体，获得最外层微分导纳矩阵，结合最外层介质表面的第三电场积分方程求解等效对比电流与等效磁流，由外向内逐层反推计算端口总电流，得到S参数；优点是可降低未知量规模和内存占用，减少非共形多层结构的网格约束，提高计算效率。