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기록
一种薄膜铌酸锂波导刻蚀缺陷识别及损耗预测方法
발명알 수 없음
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§ Ⅰ
개요
출원인
苏州易缆微半导体技术有限公司; 苏州易缆微光电技术有限公司; 安徽易诺微科技有限公司
발명자
陈伟; 陈岭; 张建军; 陈朋鑫; 殷祥; 陈思涛; 王亚萍; 顾方晗
출원일
Sep 14, 2026
공개일
Oct 16, 2026
IPC 분류
G06T 7/00 (2017.01)G01N 23/2251 (2018.01)G01N 15/00 (2024.01)G01B 15/04 (2006.01)G01Q 60/24 (2010.01)G01B 21/08 (2006.01)G01N 21/88 (2006.01)G06T 7/33 (2017.01)G06T 7/80 (2017.01)G06V 10/764 (2022.01)
本发明公开了一种薄膜铌酸锂波导刻蚀缺陷识别及损耗预测方法,通过获取扫描电子显微图像、原子力显微高度数据和散射显微图像中的至少两种,形成空间—视图观测矩阵;对缺陷支撑施加方向连续、有限分支和版图边界约束;通过结构化缺陷恢复分离正常工艺状态响应与局部缺陷响应,并利用具有实际空间尺度标定关系的几何检测数据恢复侧壁法向几何偏差及侧壁粗糙度功率谱;依据侧壁粗糙度谱、颗粒负载和分支缺陷的差异建立差分传播损耗映射,获得缺陷检测结果和传播损耗预测结果。本发明能够避免将不同检测通道的无量纲异常响应直接解释为实际侧壁几何,并降低参考结构自身散射损耗被重复计入的风险。